Կարևոր քայլը կատարվեց PN միացման լազերների ստեղծումից անմիջապես հետո, երբ կրկնակի հետերոկառուցվածքային լազերի հայեցակարգը ձևակերպվեց անկախ - ի և Kroemer-ի կողմից 11 Իր հոդվածում Քրոմերն առաջարկեց. կրկնակի հետերոկառուցվածքների օգտագործումը կրիչի սահմանափակման համար ակտիվ շրջանում:
Ի՞նչ եք հասկանում կրկնակի հետերկառուցվածք ասելով:
Կրկնակի հետերկառուցվածքը ձևավորվում է, երբ երկու կիսահաղորդչային նյութեր աճեցվում են «սենդվիչի» մեջ: Մեկ նյութ (օրինակ՝ AlGaAs) օգտագործվում է արտաքին շերտերի (կամ երեսպատման համար), իսկ մյուսը՝ ավելի փոքր շերտի բացվածքից (օրինակ՝ GaAs) օգտագործվում է ներքին շերտի համար։
Որո՞նք են կրկնակի հետերոկառուցվածքի առավելությունները:
Հետևյալը DH (Կրկնակի հետերջանցում) LED-ի առավելություններն ու առավելություններն են. + ) LED տեսակը: ➨ GaAs/AlGaAs-ի վրա հիմնված DH LED-ների ալիքի երկարության արձակման միջակայքը մոտ. 0,8-ից 0,9 մկմ միջակայքում։
Ի՞նչ է կրկնակի հետերկառուցվածքային լազերը:
Կրկնակի հետերոկառուցվածքային լազերային դիոդ. Կրկնակի հետերոճային լազերային դիոդը ստեղծվում է ցածր շերտով նյութի շերտը սենդվիչելով երկու կողմերում գտնվող շերտով բարձր շերտի շերտով::
Ի՞նչ է հետերկառուցվածքային ֆիզիկան:
Հետերոկառուցվածքը սահմանվում է որպես կիսահաղորդչային կառուցվածք, որի քիմիական բաղադրությունը փոխվում է դիրքի հետ Ամենապարզ հետերոկառուցվածքը բաղկացած է մեկ հետերային միացումից, որը միջերես է կիսահաղորդչային բյուրեղի միջով, որի վրայով քիմիական կազմը փոխվում է։
