N տիպի կրիչների մեծ մասը ազատ էլեկտրոններ են: Այսպիսով, մենք եզրակացնում ենք, որ կիսահաղորդիչում հոսանքի հաղորդունակությունը պայմանավորված է և՛ անցքերով, և՛ էլեկտրոններով:
Ի՞նչն է առաջացնում կիսահաղորդչային հաղորդունակությունը:
Կիսահաղորդիչներում էլեկտրական հաղորդման պատճառը պայմանավորված է վալենտական գոտու անցքերի շարժումով և հաղորդման գոտու էլեկտրոնների շարժումով:
Ի՞նչ է հաղորդման հոսանքը կիսահաղորդչում:
Սենյակային ջերմաստիճանում կիսահաղորդիչն ունի բավականաչափ ազատ էլեկտրոն, որպեսզի թույլ տա նրան հոսանք անցկացնել: … Երբ էլեկտրոնը բավականաչափ էներգիա է ստանում հաղորդմանը մասնակցելու համար («ազատ» է), այն գտնվում է բարձր էներգիայի վիճակում:Երբ էլեկտրոնը կապված է և, հետևաբար, չի կարող մասնակցել հաղորդմանը, էլեկտրոնը գտնվում է ցածր էներգիայի վիճակում:
Ո՞րն է պատասխանատու կիսահաղորդիչում հոսանքի համար:
Հոսանքը, որը կհոսի ներքին կիսահաղորդիչում, բաղկացած է և էլեկտրոնի և անցքի հոսանքից: Այսինքն՝ էլեկտրոնները, որոնք ազատվել են իրենց ցանցային դիրքերից դեպի հաղորդման գոտի, կարող են շարժվել նյութի միջով։
Ո՞ր էլեկտրոններն են պատասխանատու սիլիցիումի հոսանքի համար:
Էլեկտրոնային հոսանքը ներքին սիլիցիումում առաջանում է ջերմային առաջացած ազատ էլեկտրոնների շարժման միջոցով: Մեկ այլ տեսակի հոսանք տեղի է ունենում վալենտական գոտում, որտեղ առկա են ազատ էլեկտրոնների կողմից ստեղծված անցքերը:
